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管管式PECVD設(shè)備反應(yīng)室結(jié)構(gòu)的優(yōu)化設(shè)計(jì)與數(shù)值仿真研究

發(fā)布時(shí)間:2020-06-18 點(diǎn)擊次數(shù):6783

   等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD) 設(shè)備廣泛應(yīng)用于晶硅太陽(yáng)電池表面鍍減反射薄膜或鈍化薄膜[1] 工序中。此類設(shè)備采用PECVD 技術(shù),在低壓條件下,利用射頻電場(chǎng)使工藝氣體產(chǎn)生輝光放電,電離出等離子體,生成可促進(jìn)反應(yīng)的活性基團(tuán);工藝氣體在活性基團(tuán)的促進(jìn)下,能在較低溫度下發(fā)生反應(yīng),生成高品質(zhì)納米級(jí)薄膜。以上反應(yīng)過(guò)程是在PECVD 設(shè)備的反應(yīng)室完成,本文對(duì)管式PECVD 設(shè)備反應(yīng)室的進(jìn)氣方式進(jìn)行了改進(jìn),并建立仿真模型進(jìn)行了驗(yàn)證,最后根據(jù)仿真結(jié)果優(yōu)化了反應(yīng)室結(jié)構(gòu)。



1 反應(yīng)室結(jié)構(gòu)


      PECVD 設(shè)備的反應(yīng)室是工藝氣體反應(yīng)過(guò)程控制的主要區(qū)域,圖1 為管式PECVD 設(shè)備的典型反應(yīng)室結(jié)構(gòu)示意圖。其工作原理為:工藝開(kāi)始時(shí),爐門開(kāi)啟,推舟系統(tǒng)將裝載有硅片的石墨舟送入石英爐管,并通過(guò)電極桿連接至低頻電源。


管式PECVD設(shè)備的典型反應(yīng)室結(jié)構(gòu)示意圖


      工藝過(guò)程中,工藝氣體由前端進(jìn)氣法蘭進(jìn)入石英爐管,工藝尾氣經(jīng)由連接至真空系統(tǒng)的尾端端面法蘭上所焊接的抽氣孔排出石英爐管。


      其中,工藝氣體由前端進(jìn)氣法蘭進(jìn)入石英爐管的工藝流程為:工藝氣體從進(jìn)氣管道A 和進(jìn)氣管道B 進(jìn)入前端進(jìn)氣法蘭內(nèi)部的環(huán)形氣道,前端進(jìn)氣法蘭內(nèi)壁上均勻分布有多個(gè)進(jìn)氣孔,進(jìn)氣孔連通環(huán)形氣道和石英爐管,此結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)工藝氣體的環(huán)形進(jìn)氣。前端進(jìn)氣法蘭的結(jié)構(gòu)示意圖如圖2 所示。


前端進(jìn)氣法蘭的結(jié)構(gòu)示意圖


前端進(jìn)氣法蘭的結(jié)構(gòu)示意圖及局部放大圖


      隨著光伏行業(yè)的發(fā)展,光伏發(fā)電項(xiàng)目要求度電成本不斷降低。晶硅太陽(yáng)電池表面鍍膜過(guò)程成本的降低,可從管式PECVD 設(shè)備的生產(chǎn)過(guò)程出發(fā),通過(guò)不斷減少生產(chǎn)制造成本、提高單臺(tái)設(shè)備的產(chǎn)能來(lái)降低度電成本。


      提高單臺(tái)設(shè)備的產(chǎn)能可通過(guò)增加單個(gè)爐管的單次裝片量來(lái)實(shí)現(xiàn),而提高單次裝片量需要進(jìn)一步加大石墨舟的尺寸和石英爐管的徑向尺寸。工藝氣體會(huì)源源不斷地通入石英爐管,合理的爐管內(nèi)壓力、流量、溫度等工藝參數(shù)可使工藝氣體均勻分布在爐管內(nèi),從而保證沉積鍍膜的均勻性[2]。但隨著石墨舟和反應(yīng)室腔體越來(lái)越大,若仍采用現(xiàn)有的環(huán)形進(jìn)氣方式,反應(yīng)室截面氣場(chǎng)濃度分布的均勻性將降低,鍍膜質(zhì)量也將受到影響;并且還會(huì)存在以下缺點(diǎn):1) 爐管內(nèi)中心區(qū)域氣體稀薄,流場(chǎng)穩(wěn)定性和均勻性降低;2) 位于石墨舟中間位置的硅片的減反射膜厚度較兩側(cè)位置稍薄。


      因此,本文提出了一種新的反應(yīng)室結(jié)構(gòu),即將原有的進(jìn)氣方式從環(huán)形進(jìn)氣方式改為了平面進(jìn)氣方式,以保證爐管的徑向尺寸,增加爐管內(nèi)流場(chǎng)分布的均勻性及穩(wěn)定性。下文通過(guò)仿真模型對(duì)這2 種進(jìn)氣方式進(jìn)行了驗(yàn)證。


2 建立仿真模型


2.1 模型簡(jiǎn)化

      本文選用湖南紅太陽(yáng)光電科技有限公司生產(chǎn)的管式PECVD 設(shè)備的參數(shù)作為模型參數(shù),并使用ANSYS 軟件建立連續(xù)流體模型。軟件基于控制體積法,對(duì)計(jì)算區(qū)域內(nèi)一系列不重復(fù)控制體積的微分方程進(jìn)行積分,得到離散單元體控制方程。本文模型中主要是對(duì)石英爐管內(nèi)連續(xù)流體進(jìn)行控制,其控制方程包括連續(xù)性方程和動(dòng)量守恒方程。本文重點(diǎn)研究工藝過(guò)程中石英爐管內(nèi)流場(chǎng)分布的均勻性,暫不考慮溫度場(chǎng)分布情況。為使分析目標(biāo)更為準(zhǔn)確,模型中省去了石墨舟及硅片。


      式中,ρ 為氣體密度;V 為氣體速度矢量;t為時(shí)間。動(dòng)量守恒方程為[3]:


      式中,μ 為氣體的動(dòng)力粘度;P 為石英爐管內(nèi)靜壓力;SMi 為當(dāng)i=1,2,3 時(shí),除壓力源外的沿X、Y、Z 軸3 個(gè)方向的廣義源項(xiàng);ui 為石英爐管內(nèi)工藝氣體速度分量;?P/?xi 為當(dāng)i=1,2,3 時(shí),爐管內(nèi)靜壓力沿X、Y、Z 軸3 個(gè)方向的梯度。采用環(huán)形進(jìn)氣方式時(shí),工藝氣體是通過(guò)進(jìn)氣法蘭處周向均勻分布的24 個(gè)直徑為1 mm 的氣孔進(jìn)入石英爐管內(nèi)的;結(jié)合實(shí)際生產(chǎn)情況,頂部幾個(gè)氣孔的進(jìn)氣量較少,可忽略不計(jì);且假設(shè)各進(jìn)氣孔氣體流量相等。環(huán)形進(jìn)氣方式的簡(jiǎn)化模型圖如圖3 所示。



      采用平面進(jìn)氣方式時(shí),工藝氣體先從直徑為16 mm 的中心進(jìn)氣口流入,在預(yù)混腔均勻混合后,通過(guò)均氣板進(jìn)入石英爐管內(nèi)。平面進(jìn)氣方式的簡(jiǎn)化模型圖如圖4 所示。



2.2 參數(shù)設(shè)置

      采用管式PECVD 設(shè)備鍍SiNx 薄膜時(shí)所需的工藝氣體為NH3 和SiH4,且NH3 與SiH4 的流量比約為8:1,NH3 為主要反應(yīng)氣體。本仿真模型忽略組分的輸運(yùn)和組分間的化學(xué)反應(yīng),因此設(shè)置單一的NH3 質(zhì)量流作為氣體入口邊界,NH3 流量為8000 sccm;反應(yīng)室出口壓力為200 Pa,模型設(shè)置為k-epsilon 湍流模型[4]。


2.3 流場(chǎng)仿真結(jié)果對(duì)比分析

      由三維穩(wěn)態(tài)流體模擬得到反應(yīng)室內(nèi)環(huán)形和平面進(jìn)氣方式時(shí)中間截面內(nèi)流場(chǎng)速度矢量圖,分別如圖5、圖6 所示。由圖可以看出,2 種進(jìn)氣方式的進(jìn)口速度均大于出口速度。模擬達(dá)到穩(wěn)態(tài)時(shí),平面進(jìn)氣方式的中心區(qū)域氣體分布較環(huán)形進(jìn)氣方式時(shí)的更為均勻。


圖5



3 反應(yīng)室結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計(jì)


      根據(jù)上文2 種進(jìn)氣方式的模擬結(jié)果,再加上考慮到反應(yīng)室腔體的增大,決定將反應(yīng)室中工藝氣體的環(huán)形進(jìn)氣方式改為平面進(jìn)氣方式。但由于采用平面進(jìn)氣方式時(shí)進(jìn)氣面需要固定不動(dòng),而每一次工藝運(yùn)行時(shí),都需要裝卸一次石墨舟,反應(yīng)室前端爐門需進(jìn)行2 次開(kāi)啟和關(guān)閉動(dòng)作,因此,對(duì)反應(yīng)室的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了優(yōu)化,將進(jìn)氣面設(shè)置在反應(yīng)室尾端,抽氣孔設(shè)置在反應(yīng)室前端。優(yōu)化后的反應(yīng)室結(jié)構(gòu)示意圖如圖7 所示。



3.1 尾端端面法蘭進(jìn)氣結(jié)構(gòu)優(yōu)化

      尾端端面法蘭進(jìn)氣結(jié)構(gòu)優(yōu)化后的工藝流程為:進(jìn)氣管道A、B 設(shè)置在尾端端面法蘭中心區(qū)域,端面法蘭內(nèi)側(cè)連接均氣板,均氣板上設(shè)有若干個(gè)均勻分布的通氣孔;工藝氣體經(jīng)由進(jìn)氣管道A、B進(jìn)入尾端端面法蘭中心區(qū)域先向兩側(cè)充分混合,最后經(jīng)均氣板均勻進(jìn)入石英爐管內(nèi)部。優(yōu)化后的尾端端面法蘭進(jìn)氣結(jié)構(gòu)示意圖如圖8 所示。


優(yōu)化后的尾端端面法蘭進(jìn)氣結(jié)構(gòu)示意圖


      均氣板上設(shè)有若干個(gè)均勻分布的通氣孔,沿圓周設(shè)置6 個(gè)與尾端固定方法蘭連接用的螺紋孔。均氣板結(jié)構(gòu)示意圖如圖9 所示。



3.2 反應(yīng)室前端結(jié)構(gòu)優(yōu)化

      優(yōu)化后的反應(yīng)室前端結(jié)構(gòu)增加了前端密封法蘭、過(guò)渡筒、伸縮桿、內(nèi)爐門、隔熱板和導(dǎo)流管。優(yōu)化后的反應(yīng)室前端剖面示意圖如圖10 所示。



      由于優(yōu)化后的反應(yīng)室前端增加了內(nèi)爐門,其與原外爐門形成了雙爐門結(jié)構(gòu),因此在原外爐門基礎(chǔ)上增加了伸縮桿以連接內(nèi)爐門,內(nèi)爐門中心通孔連接導(dǎo)流管到抽氣孔,該抽氣孔焊接在過(guò)渡筒下方,并連接至真空系統(tǒng)。內(nèi)爐門和導(dǎo)流管可以使反應(yīng)室內(nèi)部工藝氣體從腔體中心區(qū)域抽離反應(yīng)室,保證反應(yīng)室內(nèi)氣場(chǎng)的均勻性和穩(wěn)定性。導(dǎo)流管將反應(yīng)室腔體內(nèi)熱氣流直接引入抽氣孔,減少了過(guò)渡筒內(nèi)的熱量,可大幅降低爐門密封圈的溫度。隔熱板可減少內(nèi)、外爐門之間輻射熱的傳播,進(jìn)一步降低爐門密封圈的溫度,延長(zhǎng)密封圈的使用壽命。

太陽(yáng)能電池鍍膜載具PECVD石墨舟

PECVD石墨舟作為光伏太陽(yáng)能電池鍍膜最常用的工藝之一,被廣泛用于半導(dǎo)體、太陽(yáng)能電池片的生產(chǎn)過(guò)程中。作為光伏太陽(yáng)能電池硅片的載體,石墨是最理想的材料之一,對(duì)表面鍍膜的均勻性、色差等產(chǎn)生至關(guān)重要的作用,要求其有高純度、耐腐蝕、極好的抗彎強(qiáng)度和良好的導(dǎo)電性能。


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